中微公司：在3D NAND芯片制作环节公司的电容性等离子体刻蚀设备可运用于64层和128层的量产一起根据存储器厂商的需求正在开发新一代可以包含128层及以上要害刻蚀运用以及相对应的极深邃宽比的设备和工艺

时间: 2024-10-21 04:22:18 |   作者: 蒸汽洗车机

  每经AI快讯，有投入资金的人在出资者互动渠道发问：请问，贵公司在先进制程的刻蚀配备上是否获益于这次海外芯片产能的扩产，大致情况如何？

  中微公司（688012.SH）10月22日在出资者互动渠道表明，公司积极关注下流商场扩产方案并努力争取各种或许的商场时机，公司的刻蚀设备在国内首要客户端商场占有率不断的进步。 在逻辑集成电路制作环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在世界闻名客户65纳米到5纳米等先进的芯片出产线上；一起，公司根据先进集成电路厂商的需求，已开宣布小于5纳米刻蚀设备用于若干要害步骤的加工，并已取得职业抢先客户的批量订单。公司现在正在合作客户的实在需求，开发新一代刻蚀设备和包含更先进大马士革在内的刻蚀工艺，可以包含5纳米以下更多刻蚀需求和更多不同要害运用的设备。 在3D NAND芯片制作环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可运用于64层和128层的量产，一起公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代可以包含128层及以上要害刻蚀运用以及相对应的极深邃宽比的刻蚀设备和工艺。 此外，公司的电理性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的出产线上量产，依照每个客户的技能发展需求，正在进行下一代产品的研制技能，以满意5纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的ICP刻蚀设备的研制。

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