1分钟640纳米！等离子体让3D NAND闪存蚀刻功率翻倍
时间: 2025-02-26 17:38:09 | 作者: leyucom乐鱼体育
快科技2月5日音讯，3D NAND闪存的规划和制作十分依靠存储单元堆叠，由此可以大幅度的添加存储密度与容量，降低成本。
最近，来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的很多科学家联合规划了一种新的蚀刻工艺。
该办法运用氟化氢等离子体，将硅资料笔直通道的蚀刻功率提高了一倍，只需1分钟即可蚀刻640纳米。
其间的关键是在氧化硅和氮化硅替换层上刻孔，并将分层资料暴露在等离子体方式的化学物质中，让等离子体中的原子与分层资猜中的原子相互作用，然后蚀刻出孔洞通道。
别的，一些副产品会影响蚀刻功率，可是只需加入水，就能处理这一问题，比方水能让盐在低温下分化，然后加快蚀刻。
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