中微半导体请求一种等离子体刻蚀办法和刻蚀设备专利能让要害尺度到达预设规范

时间: 2024-11-14 07:59:17 |   作者: 产品中心

  金融界2024年11月11日音讯，国家知识产权局信息数据显现，中微半导体设备（上海）股份有限公司请求一项名为“一种等离子体刻蚀办法和刻蚀设备”的专利，公开号CN 118919407 A，请求日期为2023年5月。

  专利摘要显现，本发明供给一种等离子体刻蚀办法，在一等离子体处理腔内进行，包含过程：供给待刻蚀器材，其包含底层、顺次坐落底层上的刻蚀资料层和掩膜层，掩膜层具有榜首图形，榜首图形暴露出刻蚀资料层的待刻蚀区域；施加榜首低频偏置射频信号至处理腔以进行榜首刻蚀工艺，在刻蚀资料层构成第二图形，第二图形的刻蚀深度为刻蚀资料层厚度的70％～98％；施加高频偏置射频信号至处理腔以进行第二刻蚀工艺，构成刻蚀深度大于或等于刻蚀资料层厚度的第三图形；施加第二低频偏置射频信号至处理腔以进行第三刻蚀工艺，构成贯穿刻蚀资料层和部分厚度的底层的第四图形；第三、第四图形底部的要害尺度均到达预设的要害尺度。本发明还供给一种等离子体刻蚀设备。

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