中微公司请求一种等离子体刻蚀设备专利完成对刻蚀工艺的相应调整
时间: 2025-01-08 21:00:26 | 作者: 产品中心
金融界2024年7月2日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，中微半导体设备（上海）股份有限公司请求一项名为“一种等离子体刻蚀设备“，公开号CN6.7，请求日期为2022年12月。
专利摘要显现，本发明触及一种等离子体刻蚀设备，包含，等离子体处理腔室，其包含腔体和腔室盖；基座，配置于所述等离子体处理腔室内部，用于承载基片；坐落所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极和下电极，所述下电极配置于所述基座；经过在所述上电极和所述下电极间施加高频电压电离所述上电极与所述下电极之间的工艺气体以发生等离子体，运用所述等离子体对所述基座上承载的基片进行蚀刻；网栅，设置在所述上电极与所述下电极之间。本发明经过网栅来改动基片上方的等离子体和/或气体的气流密度和方向，完成对刻蚀工艺的相应调整。一起，网栅可以上下移动且可射频接地，可以进一步增加对刻蚀工艺做调整的手法，为精细化调整供给或许。
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