中微半导体请求一种基片的预处理办法及等离子体刻蚀设备专利提高基片预处理功率

时间: 2025-03-13 13:20:07 |   作者: 产品中心

  金融界2025年2月22日音讯，国家知识产权局信息数据显现，中微半导体设备（上海）股份有限公司请求一项名为“一种基片的预处理办法及等离子体刻蚀设备”的专利，公开号CN 119495563 A，请求日期为2023年8月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种基片的预处理办法及等离子体刻蚀设备。该办法有：供给一半径为R的基片，其包含衬底和坐落所述衬底上待处理的掩膜层；掩膜层至少包含环形的边际区域；将基片置于等离子体刻蚀设备的反响腔中，偏置射频功率设置为0～50W；向等离子体刻蚀设备中通入工艺气体；依据所述掩膜层的要害尺度散布状况操控所述等离子体刻蚀设备的腔室压力。本发明的预处理办法根据边际区域的要害尺度散布状况调理腔室压力从而操控基片的边际区域的反响速率能愈加有效地提高基片的预处理功率，工艺窗口较大，处理后的基片一致性好。

  天眼查资料显现，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，坐落上海市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱62236.3735万人民币，实缴本钱61927.9423万人民币。经过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外出资了27家企业，参加招投标项目65次，知识产权方面有商标信息72条，专利信息1454条，此外企业还具有行政许可71个。

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