中微公司在等离子体刻蚀技术领域再次完成重大打破
时间: 2025-04-03 06:39:27 | 作者: 产品中心
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每经AI快讯，3月26日，据中微公司官微音讯，近来，中微半导体设备（上海）股份有限公司宣告经过不断的进步反响台之间气体操控的精度，ICP双反响台刻蚀机Primo Twin-Star®又获得新的打破，反响台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝均匀直径100微米的500万分之一。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次立异打破。
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