北京鲁汶半导体获得一种法拉第屏蔽设备、等离子体刻蚀体系及其使用方法专利

时间: 2024-11-04 07:19:10 |   作者: 产品中心

  金融界2024年10月19日音讯，国家知识产权局信息数据显现，北京鲁汶半导体科技有限公司获得一项名为“一种法拉第屏蔽设备、等离子体刻蚀体系及其使用方法”的专利，授权公告号 CN 113745084 B，请求日期为2020年5月。

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