我国半导体制作中心技能打破 自主芯片功能优化打破国外独占

时间: 2024-11-14 07:57:21 |   作者: 新闻中心

  9月11日，国家电力出资集团有限公司宣告，其部属公司国电投核力创芯（无锡）科技有限公司最近成功向客户交给了第一批通过氢离子注入功能优化的芯片产品。这一成果意味着我国现已全面把握了半导体范畴中高能氢离子注入的中心技能与工艺，填补了国内半导体工业链中的一个重要空白。这为将来半导体离子注入设备和工艺完成全面国产化铺平了路途。

  国家电投着重，氢离子注入作为半导体晶圆制作的关键步骤，对包含集成电路、功率半导体、第三代半导体在内的多种半导体产品的出产至关重要。长久以来，该技能及相应设备的缺少约束了我国半导体职业向高端范畴的开展，特别是关于600V以上高压功率芯片，我国一向依靠进口。核力创芯的这一技能打破，有用打破了国外在此范畴的独占局势。

  建立缺乏三年的核力创芯，已接连攻克数项技能难关，不只完成了技能100%自研，还达成了配备100%国产化，建立起国内首个结合核技能使用与半导体研讨的交叉学科渠道。此次交给的芯片产品，通过了挨近万小时的严厉工艺和可靠性测验，其中心功能指标已比美世界领先水平，赢得了用户的高度赞扬。

  进一步信息数据显现，国电投核力创芯（无锡）科技有限公司建立于2021年3月9日，坐落于江苏无锡，注册资本为7022.63万元。

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